半導體產業鏈自上而下可以分為三個環節：設計、制造、封裝測試。設計公司設計出集成電路，然后委托晶圓制造公司進行制造，最后再由封測廠商對集成電路進行封裝測試。在制造和封裝的過程中，還會涉及到很多高精度的設備和高純度的材料。

半導體設計

半導體設計環節分為前端設計和后端設計，前端設計(也稱邏輯設計)和后端設計(也稱物理設計)并沒有統一嚴格的界限，涉及到與工藝有關的設計就是后端設計。

企業在進行半導體設計的時候，需要制訂好芯片規格，也就像功能列表一樣，包括芯片需要達到的具體功能和性能方面的要求。比如華為公司需要研發下一代的麒麟1020芯片，那么芯片所要達到的功能與性能是怎么樣的，這需要提前制定好，這樣研發人員才能拿出設計解決方案和具體實現架構，劃分模塊功能。

在半導體設計的細節上，就像初步記下建筑的規劃，要將整體輪廓描繪出來，方便后續制圖。這個時候半導體研發人員就需要使用硬件描述語言將模塊功能以代碼來描述實現，也就是將實際的硬件電路功能通過硬件描述語言描述出來，形成寄存器傳輸級代碼。利用這種語言，數字電路系統的設計才可以從頂層到底層(從抽象到具體)逐層描述自己的設計思想，用一系列分層次的模塊來表示極其復雜的數字系統。

一旦形成了代碼，這個時候就需要通過仿真驗證來檢驗編碼設計的正確性，檢驗的標準就是第一步制定的規格。看設計是否精確地滿足了規格中的所有要求。規格是設計正確與否的黃金標準，一切違反，不符合規格要求的，就需要重新修改設計和編碼。

半導體制造

半導體制造包括前道和后道制造工藝，后道工序主要是封裝檢測，較前道工序相對簡單。鍵合是后道工序中有著最多裝備的關鍵工序，引線鍵合是以細小的金屬引線的兩端分別與芯片和管腳鍵合而形成電氣連接，該工藝具有實現簡單、成本低廉、適用多種封裝形式的優點。

半導體制造包括硅片制造：硅片制造的原料是硅錠，硅錠在要經歷許多工藝步驟才能制成合乎要求的硅片，包括研磨、刻印定位槽、切片、磨片、倒角、刻蝕、拋光、清洗、檢測和包裝。晶圓制造：晶圓指制造半導體晶體管或集成電路的襯底。晶圓制造過程主要包括擴散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長、化學機械拋光、金屬化七個相互獨立的工藝流程。晶圓封測：導體封裝測試是指將通過測試的晶圓按照產品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。晶圓封測過程主要包括晶圓電測、切割、貼片、引線鍵合、封裝、老化測試。最后，再在一塊極小的硅單晶片上，利用半導體工藝制作上許多晶體二極管、三極管及電阻、電容等元件，并連接成完成特定電子技術功能的電子電路。

半導體封測

半導體封裝是利用薄膜技術細微加工技術等，將芯片在基板上布局、固定及連接，并用可塑性絕緣介質灌封形成電子產品的過程，目的是保護芯片免受損傷，保證芯片的散熱性能，以及實現電能和電信號的傳輸，確保系統正常工作。半導體測試主要是對芯片外觀、性能等進行檢測。

先進封裝技術推動半導體封裝市場繼續擴容。封裝技術的演進主要為了符合終端系統產品的需求，為配合系統產品多任務、小體積的發展趨勢，集成電路封裝技術的演進方向即為高密度、高腳位、薄型化、小型化。SiP和3D是封裝未來重要的發展趨勢，但鑒于3D封裝技術難度較大、成本較高，SiP，PoP，HyBrid等封裝仍是現階段業界應用于高密度高性能系統級封裝的主要技術。

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