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IR氮化鎵(GaN)組件開始商用出貨

2013-5-27 8:30:03來源:網(wǎng)絡作者:
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  • 導讀:
  • 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)宣布為一家領先的消費性電子產(chǎn)品公司的家庭劇院系統(tǒng),成功測試并量產(chǎn)供應采用其革命性氮化鎵 (GaN) 功率技術平臺制造的組件。
  • 關鍵字:
  • IR GaN 氮化鎵

國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)宣布為一家領先的消費性電子產(chǎn)品公司的家庭劇院系統(tǒng),成功測試并量產(chǎn)供應采用其革命性氮化鎵 (GaN) 功率技術平臺制造的組件。

IR總裁暨執(zhí)行長Oleg Khaykin表示:「采用IR旗下尖端的GaN技術平臺及IP產(chǎn)品組合之組件進入商用出貨階段,再次成功延伸我們在功率半導體組件市場的領導地位,以及預示功率轉換新時代的來臨,這正好與公司旨在協(xié)助客戶節(jié)省能源的重要愿景相輔相成。IR熱切期望,GaN技術對功率轉換市場的影響力能夠至少媲美我們在30年前所推出的功率HEXFET。

有關成就標志著IR在功率管理市場的策略性優(yōu)勢,藉以帶來高資本效率的組件制造模式。相比先進的硅技術,GaN技術平臺能夠為客戶改進主要特定應用的性能指數(shù) (FOM) 多達10倍。這次IR邁向新的里程碑,彰顯出該公司一直致力為客戶提供頂尖的功率管理技術。

Khaykin總結稱:「長遠而言,GaN技術適用于IR所有業(yè)務單位及產(chǎn)品線。我們欣然見證該技術有效促進公司長遠收入增長和增加市場占有率。我謹向所有相關人士致以衷心的謝意,并且祝賀他們?nèi)〉梅欠驳某删汀!?/p>

這款開創(chuàng)先河的GaN功率組件技術平臺,是IR經(jīng)過10年的時間,基于其專有硅上GaN磊晶技術進行開發(fā)及研究的成果。該高生產(chǎn)量的150mm硅上GaN磊晶和相關的組件制造程序,能夠全面與IR具備成本效益的硅制造設施配合,為客戶提供世界級的商業(yè)可行性GaN功率組件制造平臺。

關于美商國際整流器公司(International Rectifier;IR)

國際整流器公司 (NYSE:IRF)是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數(shù)字、模擬和混合訊號IC及其它先進功率管理組件可用來驅動高效能運算,且為廣泛的商業(yè)和消費者應用節(jié)省能源 。世界上有不少著名的計算機、省電電器、照明設備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、航空和國防系統(tǒng)制造商都倚靠IR的功率管理解決方案來設計其下一代產(chǎn)品。

(關鍵字:IR GaN 氮化鎵)

(責任編輯:00951)
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